30 de septiembre de 2016

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Samsung Green DDR3, 30nm

Samsung Green DDR3, 30nm

Samsung Green DDR3, 30nm
febrero 01
11:00 2010

El fabricante surcoreano acaba de anunciar otro nuevo hito tecnológico, se trata de la fabricación exitosa de chips de memoria RAM DDR3 en proceso de 30 nm que aumenta la eficiencia de fabricación y mejora el consumo de los mismos de manera más que notable. Hablamos de una eficiencia de fabricación del 200% frente a RAM DDR3 de 50 nm y un consumo por módulo de menos de 3 vatios por hora.

 

El nuevo desarrollo de Samsung se conoce como Green DDR3 y llega tras el anuncio de Intel y Micron de chips NAND Flash de 25nm. En esta ocasión ha sido Samsung quien ha anunciado el nuevo hito dentro del mercado de memoria RAM DDR3, ya que han conseguido fabricar chips un proceso de 30nm, frente al de 40nm anunciado el pasado agosto. La mejora en eficiencia de fabricación entre esos dos procesos es del 60%.

 

 

Sin comparamos frente a procesos anteriores como por ejemplo 50 o 60 nanómetros la eficiencia se dispara hasta un 200%, que es equivalente a decir que de la misma oblea se consigue el doble de chips, lo que abaratará sin duda alguna el coste de fabricación y se acabará traduciendo en un menor coste de la misma de cara al usuario final, ya sea corporativo o individual.

 

Como nota interesante tenemos que los nuevos chip harán que los módulos de RAM no superen el 3% del consumo total de un equipo completo, manteniendo por tanto un equilibrio entre rendimiento y consumo sorprendentemente alto.

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Jesús Maturana

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