1 de octubre de 2016

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Samsung DDR3 4Gb 40 nm

Samsung DDR3 4Gb 40 nm

Samsung DDR3 4Gb 40 nm
febrero 25
13:10 2010

El gigante coreano es el primero de la industria en producir masivamente memorias de cuatro gigabits en formato DDR3 y bajo proceso de fabricación de 40 nanómetros. Esta tecnología dobla la densidad de su predecesora y supone un aumento de la capacidad de almacenamiento y un ahorro significativo de consumo en centros de datos, sistemas de servidores y portátiles de gama alta.

Samsung planea migrar el 90 por ciento de la producción de memorias DRAM DDR a procesos de fabricación de 40 nanómetros que gracias al aumento de densidad a 4Gb permitirá la producción de módulos de 32 Gbytes para servidores y estaciones de trabajo.


 

También para portátiles en formato SoDIMM alcanzando una capacidad de 8 Gbytes por módulo, para dotar por primera vez a estos equipos de memoria RAM de hasta 32 Gbytes en placas con cuatro slots.

Además del aumento de capacidad, los nuevos 4Gb reducen exponencialmente el consumo hasta 36 vatios, menor que los 2Gb que se elevan a 55 vatios y muy inferior a los 210 vatios de los módulos basados en 1Gb DDR2 fabricados en proceso de 60 nanómetros.

El nuevo 4Gb DDR3 soporta especificaciones estándar de voltaje de 1.5V y 1.35 voltios. Estarán disponibles próximamente en formato RDIMM de 16 y 32 Gbytes de capacidad, y en formato SoDIMM los mencionados módulos de 8 Gbytes.

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Juan Ranchal

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