Memorias Toshiba 25 nm

El fabricante japonés de electrónica –segundo productor mundial de memorias flash NAND- anuncia una nueva línea de fabricación de microchips utilizando procesos tecnológicos por debajo de los 25 nanómetros, un gran avance frente a los 32 y 43 nanómetros actuales redundando en la rebaja de costes de producción por chip así como de tamaño y consumo.

Toshiba planea invertir este año 15.000 millones de yenes (109 millones de euros) para construir una línea de producción avanzada de memorias flash que reducirá los procesos tecnológicos de fabricación actuales a entornos de los 25 nanómetros o inferiores.

La compañía japonesa comenzaría este mismo año con procesos de 29 nanómetros, para continuar con 25 nm y llegar hasta los 20 nanómetros en 2012. Para ello está en conversaciones con la compañía holandesa ASML para adquirir un equipo de última generación de fabricación de chips con tecnología (EUV) para crear la litografía de estas láminas de silicio diminutas.

La línea de producción sería para memorias NAND, un formato que puede retener datos pese a que los equipos están apagados, lo que los hace ideales para dispositivos portátiles o teléfonos móviles. Los avances en procesos de fabricación redundarán en un menor tamaño de los chips, menor consumo y menores costes.