El proceso de 7 nm de Intel superará al proceso de 5 nm de TSMC en densidad de transistores

Intel sigue trabajando para mejorar la tasa de éxito por oblea de su proceso de 10 nm, pero sin descuidar uno de sus objetivos más importantes a largo plazo, el salto al proceso de 7 nm, un movimiento que, según varias fuentes podría completar dentro de un par de años.

La primera arquitectura de consumo que Intel lanzará basada en el proceso de 7 nm se conoce con el nombre en clave Meteor Lake, y si todo va según lo previsto debería ser la sucesora de Alder Lake, la última arquitectura que Intel desarrollará sobre el proceso de 10 nm.

Por si alguien se ha perdido os recuerdo que la hoja de ruta de Intel con respecto al proceso de 10 nm queda configurada de la siguiente manera: Cannon Lake (10 nm), Ice Lake (10 nm+), Tiger Lake (10 nm++) y Alder Lake (10 nm+++). Cannon Lake fue un «tick» (reducción de proceso), como lo será Meteor Lake, y el resto de arquitecturas un «tock» (mejora de microarquitectura).

Para dar el salto al proceso de 7 nm Intel tiene todavía un importante objetivo que cumplir, rentabilizar el proceso de 10 nm. La compañía de Santa Clara ha invertido muchos recursos en dicho proceso de fabricación y su llegada al mercado ha sido muy limitada, así que está claro que todavía tiene mucho que decir.

Veremos cómo evoluciona la hoja de ruta de Intel en los próximos semestres y, sobre todo, cuándo deciden presentar en sociedad su primera generación de procesadores fabricados en 7 nm. Es probable que decidan ajustarlo a las particularidades del proceso de 10 nm, así que quizás se vaya más allá de 2022 y tengamos que afrontar un retraso.

Según las últimas filtraciones el proceso de fabricación en 7 nm de Intel está muy por encima del proceso de fabricación de 5 nm de TSMC, ya que permite alcanzar una densidad de transistores mucho mayor. Tiene sentido, de hecho ambos procesos se utilizan para crear chips muy diferentes, y es una realidad que ya hemos visto en el proceso de 10 nm.

Intel dijo en su momento que aprendieron de los errores cometidos con el proceso de 10 nm y que han adoptado todas las herramientas necesarias para conseguir una transición óptima al proceso de 7 nm, incluyendo el uso de litografía ultravioleta extrema, lo que significa que dicho proceso debería presentar una mayor tasa de éxito por oblea incluso en sus etapas más tempranas y ser viable económica y técnicamente en un plazo de tiempo menor.