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Samsung NAND Flash 30 nm

La compañía coreana, líder mundial en la producción de chips de memorias NAND Flash será la primera en utilizar procesos tecnológicos de fabricación de 30 nanómetros en memorias de celdas multinivel (MLC) de 3 bits, aumentando un 50 por ciento la capacidad de almacenamiento frente a las de 2 bits. En principio se destinarán a tarjetas de 8 Gbytes bajo formato micro Secure Digital aunque se abren grades posibilidades.

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La compañía coreana, líder mundial en la producción de chips de memorias NAND Flash será la primera en utilizar procesos tecnológicos de fabricación de 30 nanómetros en memorias de celdas multinivel (MLC) de 3 bits, aumentando un 50 por ciento la capacidad de almacenamiento frente a las de 2 bits. En principio se destinarán a tarjetas de 8 Gbytes bajo formato micro Secure Digital aunque se abren grades posibilidades.

 

Samsung, que ya fue el primero en introducir en 2005 los primeros dispositivos MLC de 50 nanómetros, avanza hacia chips que mejoran la densidad de almacenamiento ampliando las soluciones basadas en memorias NAND Flash, que se están imponiendo en la industria.

 


 

 

El desarrollo de las memorias flash está siendo sorprendentemente rápido en capacidad, velocidad y prestaciones. En particular las basadas en puertas lógicas NAND mucho más económicas y más resistente a las operaciones que las basadas en NOR, aunque no permitan lectura de acceso aleatorio.

 

El avance de Samsung a procesos de fabricación de 30 nanómetros y 3 bits elevará significativamente la capacidad y rendimiento de las nuevas memorias y los dispositivos donde se utilizarán, desde tarjetas, pendrive, hasta unidades de estado sólido SSD que intentan reemplazar a los discos duros como unidad de almacenamiento principal informático.
 

Coordino el contenido editorial de MC. Colaboro en medios profesionales de TPNET: MCPRO, MuySeguridad, MuyCanal y Movilidad Profesional.

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