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IBM se une a Hynix para desarrollar la memoria del futuro: PCRAM

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IBM anuncia acuerdo de licencias tecnológicas y desarrollo conjunto con Hynix, para la producción de la próxima generación de memorias basadas en el cambio de fase (PCM), hasta cien veces más rápida en lectura y escritura que las actuales NAND Flash.

Además de velocidad, esta memoria ‘instantánea’ de IBM podrá almacenar cuatro bits de datos por cada celda superando la capacidad de la memoria no volátil más extendida en la actualidad, las Flash NAND.

También será mucho más fiable, hasta millones de ciclos de grabación frente a los miles de Flash. Para cerrar el círculo, también será más barata según IBM y más versátil ya que podrá ser utilizada en múltiples dispositivos desde teléfonos móviles a grandes servidores. Otra de sus ventajas será su bajo consumo.

Las primeras unidades comerciales de estas PCRAM basadas en cambios de fase podrían estar disponibles en 2015 aunque los fabricantes tendrán que salvar antes algunos de sus inconvenientes surgidos de su sensibilidad a la temperatura y la resistencia eléctrica.

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