4 de diciembre de 2016

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Microprocesadores Samsung basados en grafeno a 300 GHz

Microprocesadores Samsung basados en grafeno a 300 GHz

Microprocesadores Samsung basados en grafeno a 300 GHz
mayo 19
13:31 2012

El laboratorio de tecnología avanzada de Samsung ha presentado una investigación que promete superar cualquier límite de los actuales semiconductores basados en silicio, con un potencial teórico impresionante que elevará la frecuencia de los chips hasta 300 GHz.

Si en las últimas generaciones de procesadores, las frecuencias base varían entre los 2 y 4 GHz, los chips desbloqueados alcanzan los 5 GHz y únicamente mediante técnicas avanzadas de overclocking con refrigeración mediante nitrógeno líquido pueden alcanzarse velocidades de 7 u 8 GHz, los desarrollos basados en grafeno muestran un futuro prometedor.

En la actualidad, los dispositivos semiconductores consisten en miles de millones de transistores de silicio. Para aumentar el rendimiento de los semiconductores las opciones han sido reducir tanto el tamaño de los transistores individuales para acortar la distancia de desplazamiento de electrones, como utilizar un material con mayor movilidad que permita una rápida velocidad de los electrones.

Durante los últimos 40 años, la industria ha ido aumentando el rendimiento al reducir el tamaño. Sin embargo, los expertos creen que ahora estamos cerca de los límites potenciales de reducción, aunque productores como Intel investigan ya en procesos de fabricación de 5 nanómetros.

Otros fabricantes como Samsung apuestan por un futuro distinto con nuevos materiales y aquí entra el grafeno. Descubierto en 2004, es el material más delgado y de mayor conductividad del mundo (los electrones se mueven entre 10 y 100 veces más rápido que con el silicio) por lo que su potencial le hace perfecto para rivalizar con él como base para los chips utilizados en la electrónica, computación y comunicaciones.

Últimas investigaciones de las universidades británicas de Manchester y Cambridge, incluidos los premios nobel de física 2010, están trabajando en ello, para resolver uno de sus principales problemas, la poca capacidad de absorción de la luz visible del grafeno. Su combinación con estructuras metálicas minúsculas llamadas nanoestructuras plasmónicas incrementan la capacidad de absorción de luz del material unas veinte veces.

Barristor de Samsung

La investigación de Samsung apunta a esa dirección con la creación de los ‘barristores’, un transistor de grafeno que promete chips minúsculos de alta eficiencia y rendimiento, con frecuencias de trabajo increíbles para la industria actual de 300 GHz.

Samsung no estará solo, ya que Intel o IBM están realizando investigaciones con el grafeno como protagonista aunque se desconoce si terminarán (y cuando) convirtiéndose en productos comerciales.

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Juan Ranchal

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  • Pingback: Samsung presenta a "Barristor", transistor basado en Grafeno()

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