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Samsung exhibe las memorias del futuro: DDR4
IDF 2012. Cierra sus puertas la conferencia de desarrolladores de Intel de San Francisco no sin interés, con Samsung Electronics mostrando un oblea de 300 milímetros fabricada usando procesos de 30 nanómetros, de la nueva generación de memorias informáticas DDR4.
Samsung también ha mostrado un módulo ya ensamblado en formato RDIMM con 16 Gbytes de capacidad y una frecuencia de 2.133 MHz aunque la compañía coreana esperar comercializar módulos con velocidades superiores a los 3.200 MHz.
Según la hoja de ruta de Samsung y de otros fabricantes, será en 2014 cuando esté disponible este nuevo estándar DDR4, una evolución de las actuales DDR3 con mayor rendimiento y menor consumo, aunque incompatible a nivel de pin con las placas bases existentes.
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