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IBM hace que la memoria PCM esté más cerca que nunca

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Memoria PCM

Últimamente, casi siempre que hablamos de cambio de paradigma en lo referido a la memoria, nos referimos al cambio de soportes de memoria mecánicos por otros de memoria flash de estado sólido. Sin embargo, desde hace ya unos años se viene trabajando en la memoria PCM (Phase Change Memory), un nuevo sistema, esta vez no basado en el silicio, para crear memoria sin componentes mecánicos, no volátil (es decir, que se mantiene aunque deje de recibir suministro eléctrico, al contrario de lo que ocurre con la memoria RAM de los ordenadores) y que ofrecería unas mejores prestaciones que lo que hemos conocido hasta ahora.

Conocida por varios nombres: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM (Calcogenic RAM) o PCRAM (Phase Change RAM), la memoria PCM o memoria de cambio de fase emplea cristal calcógeno, un tipo especial de cristal amorfo compuesto de germanio, antimonio y telurio que, con la aplicación de calor, ve cambiar su estructura. Así, con la aplicación de minúsculos pulsos eléctricos a células aisladas de este material se puede modificar su morfología muy rápidamente, para almacenar los datos deseados, ya que al cambiar de forma, también cambia su resistencia eléctrica.

La principal ventaja de este sistema con respecto a los chips de silicio es, sin duda, la velocidad. El cambio de estado del cristal calgógeno es increíblemente más rápido que el de las puertas lógicas de la memoria basada en el silicio, lo que se se traduce en que, una vez alcanzado el estado de desarrollo adecuado, la memoria PCM podría llegar a multiplicar por varios miles el rendimiento de lectura y, especialmente, el de escritura.

Los primeros desarrollos basados en esta memoria, que vieron la luz hace ya unos años, eran de 45 nanómetros y tenían una capacidad de 512 Mb y una velocidad de escritura de 400 megabits por segundo. Y puede no parecer gran cosa, pero hay que tener en cuenta que hablamos de la primera generación, y que ya se acercaba en rendimiento a lo que hemos conocido en memoria flash.

Y hoy, a través de Cnet, hemos sabido que se ha producido un sustancial avance en esta tecnología de la mano de IBM, que ha anunciado un importante avance en la densidad de esta memoria. Ya en 2011, técnicos de la compañía lograron doblar su densidad, con el almacenamiento de dos bits en una celda de memoria. Y ahora, cinco años después, se incrementa en un bit más por celda, lo que su capacidad ya se habría multiplicado por tres en pocos años de desarrollo. Pero la cosa no queda ahí. Además de este avance, algunos de los principales responsables del desarrollo de esta tecnología en IBM consideran que, por fin, la memoria PCM está suficientemente madura como para llegar al mercado comercial en año que viene. Eso sí, aunque ya he indicado al principio que se trata de una memoria no volátil, las expectativas comerciales de la misma apuntan, en un principio, a un uso principalmente centrado en los comunes para las memorias flash volátiles. No obstante, seguro que entre mitades y finales del año que viene, empezaremos a ver más usos para este tipo de memoria que, en poco tiempo, podría ganarle mucho terreno a la basada en el silicio.

 

Imagen: IBM

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