CXMT inicia la producción a gran escala de memoria DRAM de gran capacidad

La china CXMT ha confirmado el inicio de la producción en masa de memoria DRAM de quinta generación con chips LPDDR5X, caracterizados por ofrecer un 50% más capacidad que otros chips anteriores. La compañía, que destinará estos módulos DRAM a su integración en smartphones y portátiles, ha dado un importante paso con su producción, que podría ponerle al nivel de varias de las principales empresas del sector de la memoria, como Samsung y Micron.

En la fabricación de estos chips CXMT va a utilizar la conocida como Plataforma G5, que le permite contar con una tecnología de fabricación de primer nivel. Sus capacidades de proceso estarían al parecer a la par con los nodos de producción en masa más avanzados de la industria.

Los avances que aporta la Plataforma G5 a CXMT incluyen una nueva tecnología de patrón cuádruple autoalineado, que se espera que contribuya a reducir la brecha con las plataformas de memoria más avanzadas de otras compañías del sector.

La Plataforma G5, con procesos optimizados para la fabricación de DRAM, se ha desarrollado a través de la adopción de una integración de materiales de nueva generación, lo que permite que los condensadores de la matriz consigan una relación de aspecto de 45:1.

Para desarrollar la plataforma G5, CXMT creó en primer lugar un gemelo digital de la tecnología. De esta manera pudo desarrollar nuevos enfoques para el diseño, la salida a producción, la fabricación y la gestión del rendimiento de los chips. Gracias a esto, la compañía asegura que ha sido capaz de acelerar de manera notable la creación de modelos de proceso de DRAM más complejos. El resultado: la plataforma puede conseguir una mejora del 50% en la densidad de chips por oblea, lo que conlleva una mejora en la eficiencia energética de los módulos.

Por ahora, CXMT está utilizando esta nueva tecnología de fabricación de DRAM para el desarrollo en serie de dos nuevos chips LPDDR5X para smartphones y distintos equipos y dispositivos portátiles. Los chips ofrecen una capacidad de 24 GB por cada chip, un 50% más que la generación anterior.