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Samsung está lista para migrar a los nodos de 3 nm y 2 nm

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Samsung GAAFET

Samsung Electronics ha confirmado que está preparada para llevar a cabo la migración a los nodos de 3 nm y de 2 nm. Esto representa un salto importante que, como sabrán muchos de nuestros lectores, nos lleva prácticamente al límite teórico del silicio, y es que, si intentamos ir más allá de los 2 nm, la reducción de tamaño de los transistores empieza a ser tan marcada que ciertos problemas, como las fugas de electricidad, son cada vez más complicados de afrontar.

Para superar todos los desafíos que implica esa transición a los nodos de 3 nm y de 2 nm, Samsung ha utilizado la estructura «Gate-All-Around», también conocida por sus siglas GAA, sobre la que ya os hablamos en su momento en este artículo. Como vimos en su momento, Samsung iba a combinar esa estructura con la tecnología «Multi Bridge Channel FET», conocida como MBCFET por sus siglas en inglés, y vimos que esto le permitiría fabricar chips en 3 nm con una mejora de consumo de hasta un 50%, y un aumento de rendimiento de hasta un 30%. Esas mejoras son en comparación con el proceso de 5 nm.

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Además de esas mejoras en términos de rendimiento y de consumo, Samsung Electronics ha confirmado que, a medida que vaya aumentando la madurez de este proceso, el rendimiento en la oblea se irá acercando al que tiene actualmente el proceso de 4 nm, que ya se encuentra en fase de producción en masa. Esto es totalmente comprensible, ya que es normal que en su primera etapa de producción un nuevo proceso presente una menor tasa de éxito en la oblea (chips funcionales por oblea), y que poco a poco se vaya refinando el proceso de fabricación para mejorar dicha tasa.

Samsung GAAFET

En cuando a su entrada en producción, el gigante surcoreano ha dicho que los primeros chips basados en el nodo de 3 nm empezarán a llegar a sus clientes en la primera mitad de 2022, y que la segunda generación de chips fabricados en dicho nodo, más maduros y con nuevas mejoras de rendimiento y de eficiencia, empezarán a estar disponibles en algún momento de 2023.

Por si alguien se ha perdido, os recuerdo que Samsung Electronics mantiene una estrategia de tipo «tick tock» similar a la que utilizaba Intel, lo que significa que, cuando salta a un nuevo proceso de fabricación, se produce primero una reducción del tamaño de los transistores, acompañada de una mejora de rendimiento y de eficiencia, y posteriormente se aplica una revisión sobre ese mismo nodo que mejora todavía más sus prestaciones, y su consumo.

Por lo que respecta al nodo de 2 nm, Samsung Electronic nos ha dejado una fecha estimada de producción que nos lleva directamente a 2025. Este proceso de fabricación será el que nos acerque, de verdad, al límite teórico del silicio, como hemos anticipado.

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