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China ya tiene sus propios módulos de RAM DDR4

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Xi’an UniIC Semiconductors Co. ha presentado  sus primeros módulos de memoria RAM DDR4 que han sido diseñados y fabricados totalmente en China, sin la intervención de terceros. Es una noticia muy importante porque representa un gran paso adelante en el objetivo de dicho país de reducir su dependencia tecnológica de terceros.

Por si alguien se ha perdido os pongo en situación. La guerra comercial entre Estados Unidos y China ha puesto de manifiesto que la segunda puede bloquear, si lo estima conveniente para sus intereses, al segundo el acceso a muchas fuentes importantes de componentes y de tecnología. Pensad, por ejemplo, en lo que ha ocurrido recientemente con Huawei y TSMC debido a la nueva ley de Estados Unidos, que exige a la compañía taiwanesa pedir autorización si quiere poder fabricar semiconductores para Huawei.

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No hay duda de que China se ha dado cuenta de lo complicada que podría volverse la situación si se produce una importante escalada de tensiones que le impida acceder a componentes y a equipamiento tecnológico básico, y por ello se ha embarcado en esa carrera para conseguir, como hemos dicho, una mayor independencia tecnológica de occidente.

La memoria RAM DDR4 es, a día de hoy, uno de los componentes más básicos y más importantes del mundillo tecnológico, así que empezar a fabricar dicho componente a nivel local supone una importante victoria para China. Como hemos anticipado estos módulos de memoria RAM DDR4 han sido fabricados por Xi’an UniIC Semiconductors Co., y son 100% chinos.

Todas las piezas y elementos que forman estos módulos, incluyendo desde los chips de memoria DRAM soldados hasta el PCB han sido fabricados en China. Su diseño es, como podemos ver en la imagen, muy simple, ya que ni siquiera vienen con un chasis que ayude a disipar el calor, pero en cualquier caso tampoco es estrictamente necesario, ya que se trata de módulos con una velocidad algo limitada.

China ha confirmado la creación de dos grandes versiones de estos módulos de RAM DDR4, una que funciona a 2.400 MHz y tiene latencias CL17, y otro que funciona a 2.667 MHz y tiene unas latencias CL18. Ambos utilizan un voltaje de 1,2V y tienen una capacidad de 8 GB. Es evidente que esto no quiere decir que China esté lista para lanzarse al mercado de la RAM a nivel global, pero sí que implica que podría cubrir buena parte de las necesidades locales si fuese necesario.

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