Noticias
Intel da el salto a la memoria NAND Flash TLC de 144 capas
El gigante del chip ha anunciado una importante renovación de su catálogo de soluciones de almacenamiento basadas en memoria NAND Flash con la llegada del SSD Intel Optane P5800X, que se convierte, según Intel, en la unidad de almacenamiento para centros de datos más rápida del mundo, y del Intel Optane Memory H20, dirigido al mercado de consumo general.
Las unidades SSD se han convertido en un pilar clave para sostener los avances que se han producido a nivel profesional con el auge del Big Data, la inteligencia artificial, el 5G y con la llegada de aceleradoras gráficas basadas en GPUs cada vez más potentes. Intel ha sabido responder a los desafíos del sector profesional, pero no se ha limitado a seguir la tendencia de la industria, sino que ha optado por innovar a su manera, y esto le ha permitido conseguir importantes logros.
La compañía de Santa Clara ha reafirmado su apuesta por la tecnología Intel Optane con el anuncio de su tercera generación, cuyo nombre en clave es Crow Pass. Todavía no tenemos una fecha exacta de lanzamiento, pero lo más probable es que acabe llegando al mercado en algún momento de 2021. El gigante también ha confirmado que ha desarrollado tres nuevas líneas de unidades SSD con memoria NAND Flash de 144 capas:
- SSD 670p, un modelo con memoria NAND Flash apilada en 3D de tipo QLC y 144 capas para el mercado de consumo.
- SSD D7-P5510, que tiene el privilegio de convertirse en el primer SSD con memoria NAND Flash TLC y 144 capas del mundo.
- SSD D5-P5316, una unidad de mayor densidad y resistencia con memoria NAND Flash QLC de 144 capas.
Como sabrán muchos de nuestros lectores, la tecnología Optane está diseñada para trabajar como aceleradora a nivel de almacenamiento, y pueden reducir de forma drástica los cuellos de botella que se producen a nivel de suministro de datos trabajando como una caché de gran capacidad y de alto rendimiento. Dicho de una forma simple, actúa como una especie de memoria intermedia, a medio camino entre la RAM y el almacenamiento.
En cuanto a la memoria NAND Flash de 144 capas, este nuevo estándar permite mejorar la densidad de las unidades SSD y la capacidad de almacenamiento reduciendo los costes, y sin comprometer ni la fiabilidad ni el rendimiento de la unidad.
La memoria QLC almacena cuatro bits por celda, y la memoria TLC puede almacenar tres bits por celda. Ambas permiten crear unidades de almacenamiento con un coste por gigabyte inferior al que tendríamos en las unidades de tipo SLC (un bit por celda) y MLC (dos bits por celda).
-
A FondoHace 2 días
Cómo la tecnología mejora el día a día en un quirófano
-
NoticiasHace 7 días
La inversión en soluciones de IA generativa en Europa superará los 30.000 millones en 2027
-
A FondoHace 2 días
Educación y tecnologías: ¿cuáles se han impuesto en las aulas?
-
EntrevistasHace 4 días
NTT DATA acelera la implementación del 5G ORAN usando la tecnología de Red Hat