4 de diciembre de 2016

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Samsung e Hynix muestran memorias RAM DDR4 en el ISSCC

Samsung e Hynix muestran memorias RAM DDR4 en el ISSCC

Samsung e Hynix muestran memorias RAM DDR4 en el ISSCC
febrero 25
21:10 2012

El nuevo estándar de memorias DDR4 está cada vez más próximo, con entrada en producción en 2013 y comercialización en 2014 según han señalado los principales productores mundiales tras presentar prototipos en el evento Internacional Solid-State Circuits Conference.

DDR4 será el nuevo estándar de memorias SDRAM en la que lleva trabajando la JEDEC Solid State Technology Association. Se trata de una evolución de las DDR3 actuales, incompatibles con ellas a nivel de pin, pero con avances en rendimiento y mejora del consumo energético.

Con llegada al mercado prevista para 2014, los fabricantes surcoreanos Samsung e Hynix han presentado en el ISSCC prototipos DIMM con este tipo de memoria. Samsung con un módulo a 2.133 MHz, voltaje de 1,2 voltios y 30 nanómetros, mientras que el prototipo de Hynix estaba fabricado en procesos de 38 nanómetros, el mismo voltaje fijado por el estándar de 1,2 voltios y funcionando a 2.400 MHz.

Se espera que otros fabricantes como Elpida, Micron y Nanya presenten desarrollos en los próximos meses de unas DDR4 que entrarían en producción el próximo año.

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Juan Ranchal

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