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Intel y TSMC podrían colaborar para sacar adelante el proceso de 2 nm

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La semana pasada vimos que Intel iba a recurrir a TSMC para fabricar algunos de sus procesadores de nueva generación. El gigante del chip apostará, en teoría, por el proceso de 3 nm del gigante taiwanés, y en principio solo lo utilizará para sacar adelante algunos de sus procesadores de gama baja, como los Core i3, pero según una nueva información, la colaboración entre ambas empresas no ha hecho más que empezar.

El conocido medio DigiTimes ha sido muy claro, Intel y TSMC están «obligadas» a entenderse, no solo de cara esa adopción del proceso de 3 nm, y a la fabricación de algunos procesadores Intel, sino también para conseguir dar el salto a procesos cada vez más avanzados. En este sentido, la fuente de la noticia asegura que ambas compañías colaborarán para sacar adelante el proceso de 2 nm.

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Obvia decir que hablar del proceso de 2 nm es avanzar muchos años en el tiempo, de hecho no se espera que la producción en masa bajo el proceso de 3 nm dé comienzo hasta la segunda mitad de 2022, así que es probable que el proceso de 2 nm no esté listo hasta 2024 o 2025. Sin embargo, lo realmente importante es que al llegar a los 2 nm nos encontraremos con la barrera natural que marcan los límites del silicio, y esa será la clave principal que hará tan necesaria esa colaboración entre Intel y TSMC.

Como ya os hemos contado en ocasiones anteriores, la complejidad de un proceso de producción no se limita únicamente a los nanómetros. Cuando hablamos de semiconductores, la densidad de transistores juega también un papel clave, ya que cuanto mayor sea, mayor será la complejidad del chip que debamos trasladar a la oblea, y más riesgo habrá de que algo salga mal. Cuando reducimos el proceso de fabricación, el grosor de las puertas lógicas de los transistores se reduce notablemente, y esto puede acabar propiciando la aparición de fugas eléctricas.

Al llegar a los 2 nm se incrementa exponencialmente el riesgo de fugas eléctricas, y se hace necesario afinar al máximo tanto los diseños como el proceso de traslado a la oblea. ¿Será posible llegar a ese nivel con silicio puro y litografía de luz ultravioleta? Dentro de unos años lo descubriremos, y la respuesta vendrá de la mano de Intel y TSMC.

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