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Samsung Electronics inicia la producción de almacenamiento UFS 3.1 de 512 GB

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Es oficial, Samsung Electronics ha emitido un comunicado en el que indica que ya ha empezado a producir en masa sus soluciones de almacenamiento UFS 3.1 con una capacidad de 512 GB, un movimiento muy importante ya que este tipo de soluciones se acabará convirtiendo en el estándar de los smartphones tope de gama a corto y medio plazo.

Una de las mejoras más importantes que introduce el nuevo estándar UFS 3.1 lo encontramos en sus velocidades de escritura secuencial, aunque también son especialmente llamativas las mejoras de rendimiento en operaciones de lectura y escritura aleatoria. Si miramos el cuadro adjunto encontraremos una comparativa completa en todos los niveles frente a los estándares anteriores.

En operaciones de escritura secuencial el estándar UFS 3.1 asciende a 1.200 MB/s, casi tres veces más que el estándar UFS 3.0. Su rendimiento en operaciones de lectura aleatoria también ha mejorado enormemente, ya que sube de los 63.000 IOPS a los 100.000 IOPS, y en las operaciones de escritura aleatoria tenemos una mejora menor al pasar de 68.000 IOPS a 70.000 IOPs.

La unidad de almacenamiento afecta mucho más de lo que pensamos al rendimiento de un dispositivo móvil. Está claro que el SoC (CPU y GPU) y la RAM son importantes, pero si los acompañamos de un almacenamiento lento los tiempos de inicio de las aplicaciones, las transiciones, los tiempos de carga y la respuesta en general del sistema operativo serán muy pobres.

Eso es lo que Samsung Electronics quiere mejorar con el estándar UFS 3.1. Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing en Samsung Electronics, comentó en este sentido:

«Con la introducción del almacenamiento móvil más rápido (UFS 3.1) los usuarios de teléfonos inteligentes ya no tendrán que preocuparse por el cuello de botella que enfrentan con las tarjetas de almacenamiento convencionales. El nuevo UFS 3.1 refleja nuestro compromiso continuo de apoyar las demandas en rápido aumento de los fabricantes mundiales de teléfonos inteligentes a lo largo de este año».

Para que os hagáis una idea del salto que representa este tipo de almacenamiento basta recordar que un SSD SATA III tiene unas velocidades medias de lectura y escritura de 540 MB/s, y que una tarjeta microSD UHS-I apenas llega a los 90 MB/s. Con este nuevo estándar un smartphone o una tablet podría mover 100 GB de datos en apenas minuto y medio.

Samsung Electronics también ha confirmado que está preparando sus fábricas para sacar adelante la producción de versiones con una capacidad de 128 GB y 256 GB. Los primeros terminales que utilizarán este nuevo estándar llegarán a finales de este año. Como no podía ser de otra forma se rumorea que el Galaxy Note 20 podría ser uno de los primeros.

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