Samsung empieza a fabricar memoria DDR5 en el nodo de 12 nm

El gigante surcoreano ha empezado a fabricar en masa memoria chips de 16 Gb de DDR5 en 12 nm, un movimiento muy importante y muy curioso, ya que nos estamos acercando al salto a los 10 nm en este tipo de soluciones. ¿Por qué ha decidido Samsung apostar por el nodo de 12 nm? Vamos a descubrirlo.

Como sabrán muchos de nuestros lectores el salto a un nodo más pequeño permite reducir el tamaño de los transistores, algo que trae consigo mejoras a nivel de eficiencia y también reduce el impacto del chip en la oblea. Al ser este chip más pequeño ocupa menos espacio a nivel de silicio, y esto hace que podamos obtener más chips funcionales por oblea.

Sin embargo, saltar a un nodo más avanzado es algo complicado que requiere de un proceso de madurez importante, y es normal que en su primera etapa se produzcan problemas importantes, como por ejemplo una baja tasa de éxito por oblea y chips con una menor estabilidad o un menor rendimiento máximo (consecuencia de soportar frecuencias más bajas).

El nodo de 12 nm tiene una madurez mayor, y plantea un desafío mucho más asequible que el nodo de 10 nm, así que es normal que Samsung haya trabajado para sacar adelante la fabricación en masa de sus nuevos chips de 16 Gb de DDR5 bajo dicho nodo.

Esta nueva generación de chips no están diseñados para aumentar el rendimiento ni la densidad de memoria, tal y como ha confirmado el gigante surcoreano, sino que con ellos se han centrado en mejorar la estabilidad y la eficiencia, ya que han conseguido reducir el consumo hasta en un 23% frente a la generación anterior.

Samsung ha explicado también que la transición del nodo de 14 nm al nodo de 12 nm ha sido posible, principalmente, gracias al uso de un nuevo material «high-K», es decir, un nuevo material con una constante dieléctrica alta que se ha utilizado en las puertas de los transistores.

Ese material permitió a Samsung aumentar la capacidad de las celdas y mejorar la integridad de la señal, evitando las fugas eléctricas por las puertas lógicas. Todo esto se traduce también en una memoria más fiable y estable, y debería reducir la frecuencia de refresco de las celdas.

Por otro lado, también hay que destacar el uso de una litografía ultravioleta extrema mejorada, lo que permitió a Samsung incrementar la productividad a nivel de oblea en un 20%. La firma surcoreana está convencida de que todavía hay margen de mejora, y que realizando ajustes y refinando su tecnología FinFET podrían incrementar la velocidad en un 30% y reducir el consumo en un 20%.