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TSMC dará el salto a los 4 nm en 2023

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El presidente de TSMC, Liu Deyin, ha confirmado en la última reunión con los accionistas que están preparando el salto de la compañía al proceso de 4 nm, un movimiento que tendrá lugar en 2023 y que nos acercará un poco más al límite teórico del silicio, fijado entre los 2 nm y los 3 nm.

Será interesante ver cómo resuelven los gigantes del sector de los semiconductores este desafío, aunque todavía nos quedan unos años para descubrirlo.

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Volviendo al anuncio de TSMC, podemos definir ese nodo de 4 nm como una opción intermedia cuyo objetivo es prácticamente el mismo que el del proceso de 6 nm. Con el salto a los 4 nm el gigante taiwanés quiere ofrecer a sus clientes una mayor cantidad de opciones con las que poder cumplir sus diferentes objetivos anuales.

Todavía no sabemos qué compañías podrían acabar apostando por dicho proceso de fabricación, pero puede que NVIDIA, Intel, AMD Apple y otros clientes de TSMC lo tengan muy en cuenta para sus futuros diseños.

Ahora mismo el gigante taiwanés está preparado para afrontar la producción en masa de semiconductores en proceso de 5 nm+ a finales de año, lo que significa que dicho proceso debería estandarizarse en la primera mitad de 2021. Precisamente será en 2021 cuando dé comienzo la primera etapa de producción temprana en proceso de 3 nm, una fase previa muy importante a la producción en masa bajo dicho proceso, que no tendrá lugar hasta algún momento de 2022.

Es una estrategia curiosa, pero tiene mucho sentido. La meta principal de TSMC son los 3 nm, y por eso su llegada está prevista antes de los 4 nm. El primero será el proceso «principal» del gigante taiwanés, mientras que el segundo quedará como una alternativa pensada para ofrecer una mayor versatilidad a sus principales clientes, tanto a nivel de complejidad de diseño y de producción como de costes.

Los procesos intermedios de TSMC, como el ya citado de 6 nm, tuvieron, según la propia compañía, un éxito bastante importante, así que es perfectamente comprensible que hayan decidido mantener su estrategia y desarrollar un proceso de 4 nm. Como no podía ser de otra forma este último estará basado en la litografía ultravioleta extrema.

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